[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[22a-S222-6] CAAC-IGZO薄膜の偏光XANES測定

〇石黒 佳美¹、黒澤 陽一¹、菊地 彫¹、高橋 正弘¹、中山 智則¹、津吹 将志¹、山﨑 舜平¹ (1.半エネ研)

キーワード：IGZO、酸化物半導体、XANES

これまでに我々は構造異方性が明確に見られるCAAC-IGZOの様々な特性について報告している。本研究ではCAAC-IGZOの電子構造を調べるため、酸素のK吸収端での偏光XANES測定を行い、入射X線電場方向に対する基板の角度依存性を検討した。その結果、CAAC-IGZO薄膜において、XANESスペクトルに角度依存性が見られたことから、構造異方性に対応した電子構造の異方性の存在が示唆された。