[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-5] GaN表面熱酸化処理によるMOS界面特性の向上

〇山田 高寛¹、伊藤 丈予¹、淺原 亮平¹、渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、熱酸化