[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-7] Al₂O₃あるいはAlTiOゲート絶縁膜を用いたInAlN-GaN金属/絶縁体/半導体構造における絶縁体/半導体界面固定電荷

〇山口 槙也¹、宇井 利昌¹、長谷川 貴大¹ (1.北陸先端大)

キーワード：界面固定電荷、InAlN-GaN、AlTiO