2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月22日(火) 09:00 〜 11:45 W541 (西5号館)

中村 成志(首都大)

11:00 〜 11:15

[22a-W541-8] 高圧水蒸気処理を施したSiO2/GaN縦型MOSキャパシタの電気的特性評価

冨永 雄太1、上野 勝典2、吉嗣 晃冶1、多田 雄貴1、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.富士電機)

キーワード:窒化ガリウム