2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[22a-W611-1~14] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:45 W611 (西6号館)

金 載浩(産総研)

10:45 〜 11:00

[22a-W611-7] リモート窒素プラズマの照射によるSiCの表面窒化における放電管材料の影響

嶋林 正晴1、栗原 一彰2、佐々木 浩一1 (1.北大工、2.IMEC/Toshiba)

キーワード:SiC、リモート窒素プラズマ

これまでの研究で,リモート窒素プラズマを照射したSiC表面に酸化膜が生じることが分かっており,サンプルの大気解放時における酸化,および,窒化処理中における石英管由来の酸素ラジカルによる酸化などが酸化膜形成の原因であると考えられた。本講演では,石英管をp-BN管として窒化処理したサンプルを検討した結果について報告する。