[22p-S621-1~5] 3.11 Photonic structures and phenomena

[22p-S621-3] Silicon photonic crystal nanocavity with a Q factor more than a million fabricated by photo-lithography

〇Kohei Ashida¹, Makoto Okano², Minoru Ohtsuka², Miyoshi Seki², Nobuyuki Yokoyama², Keiji Koshino², Masahiko Mori², Yasushi Takahashi¹ (1.Osaka Prefecture Univ., 2.AIST)

Keywords:photo-lithography,silicon photonic crystal

これまで，Q値100万以上のシリコンナノ共振器は電子線描画法によって作製されていた．
今回我々は，フォトリソグラフィ法を用いてシフトL3ナノ共振器，マルチヘテロ構造ナノ共振器を作製し，その特性を評価した．
その結果，マルチヘテロ構造ナノ共振器においてQ値150万を達成したので報告する．