11:15 〜 11:30 [5a-C11-9] ECR-N2プラズマ窒化による高誘電率HfN絶縁膜の形成に関する検討 〇石松 慎1、Mailig Rengie Mark1、工藤 聡也1、大見 俊一郎1 (1.東工大工)