横川凌

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発表者・著者、共著者

2017年9月8日(金) 09:15 〜 12:00 C21 (C21)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

11:00 〜 11:15

△ [8a-C21-8] 水浸ラマン分光法によるAr⁺イオン照射を施した酸化膜被覆型Si ナノワイヤの異方性二軸応力評価

〇横川凌^1,3、橋本修一郎²、富田基裕^1,2,4、渡邉孝信²、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.早稲田大理工、3.学振特別研究員DC、4.学振特別研究員PD)

2017年9月8日(金) 13:15 〜 15:00 C19 (C19)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[8p-C19-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

14:30 〜 14:45

[8p-C19-6] バルクSiGeおよび液浸ラマン分光法を用いたSiGeフォノン変形ポテンシャルの導出

〇横川凌^1,4、武内一真¹、村上達海¹、臼田宏治²、米永一郎³、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.㈱東芝、3.東北大金研、4.学振特別研究員DC)