10:30 〜 10:45 [5a-A203-6] 窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果 〇畠山 哲夫1、木内 祐治1、染谷 満1、岡本 大2、原田 信介1、矢野 矢野2、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研、2.筑波大)