Xufang Zhang

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発表者・著者、共著者

2017年9月5日(火) 09:00 〜 11:45 A203 (203)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

10:00 〜 10:15

▲ [5a-A203-5] Verification of density distribution of near-interface traps in 4H-SiC MOS capacitors with different oxide thicknesses

〇(D)Xufang Zhang¹、Dai Okamoto¹、Tetsuo Hatakeyama²、Mitsuru Sometani²、Shinsuke Harada²、Noriyuki Iwamuro¹、Hiroshi Yano¹ (1.Tsukuba Univ.、2.AIST)