09:30 〜 09:45 △ [6a-C21-2] バルク Si 基板へのホット C+イオン注入法による SiC ナノドットの形成 〇中田 真史1、山本 将暉1、入江 翔1、小又 祐介1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)