15:45 〜 16:00 [7p-S22-9] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるゲートメタル構成の検討 〇山下 良美1、渡邊 一世1、遠藤 聡1、笠松 章文1、三村 高志1 (1.情報通信研究機構)