[7p-S22-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[7p-S22-9] A study of gate metal structure for InAlN/AlN/GaN HEMTs

〇Yoshimi Yamashita¹, Issei Watanabe¹, Akira Endoh¹, Akifumi Kasamatsu¹, Takashi Mimura¹ (1.NICT)

Keywords:GaN, HEMT

我々もこれまでに高い特性が期待される薄膜のInAlNバリア層を用いたInAlN/AlN/GaN HEMTにおいてf_T = 235 GHz、 f_max = 287 GHzを報告してきた。しかしながらショットキーゲートであるMES型においては大きなゲートリーク電流(I_g)のが問題となっていた。今回、I_g低減を目的にゲートメタルの構成を検討したので報告する。