[7p-S22-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[7p-S22-9] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるゲートメタル構成の検討

〇山下 良美¹、渡邊 一世¹、遠藤 聡¹、笠松 章文¹、三村 高志¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：GaN、HEMT

我々もこれまでに高い特性が期待される薄膜のInAlNバリア層を用いたInAlN/AlN/GaN HEMTにおいてf_T = 235 GHz、 f_max = 287 GHzを報告してきた。しかしながらショットキーゲートであるMES型においては大きなゲートリーク電流(I_g)のが問題となっていた。今回、I_g低減を目的にゲートメタルの構成を検討したので報告する。