一般セッション(口頭講演) | 12 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12.7 医用工学・バイオチップ [8a-A502-1~12] 12.7 医用工学・バイオチップ 2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:15 A502 (502) 笹川 清隆(奈良先端大)、河野 剛士(豊橋技科大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2017年9月8日(金) 09:00 〜 11:45 A411 (411) 蓮沼 隆(筑波大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [8p-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2017年9月8日(金) 13:15 〜 16:00 A411 (411) 嵯峨 幸一郎(ソニー)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C13 (事務室2-2) 末益 崇(筑波大)、原 康祐(山梨大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:15 C11 (事務室1) 鵜殿 治彦(茨城大)、山口 憲司(量研機構)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術 6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり 2017年9月5日(火) 09:00 〜 12:00 C11 (事務室1) 小山 正人(東芝)、大田 晃生(名大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術 6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり 2017年9月5日(火) 13:45 〜 16:30 C11 (事務室1) 井上 真雄(ルネサス)、渡邉 孝信(早大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2017年9月6日(水) 09:15 〜 12:15 C21 (C21) 上野 和良(芝浦工大)、後藤 正英(NHK技研)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [6p-C21-1~20] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2017年9月6日(水) 13:45 〜 19:00 C21 (C21) 角嶋 邦之(東工大)、曽根 正人(東工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 [7a-C21-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術 2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:30 C21 (C21) 野口 隆(琉球大)、佐道 泰造(九大)