[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-10] 長時間ストレスによるしきい値電圧変動予測に対する測定法の影響

〇木内 祐治^1,2、染谷 満¹、岡本 大³、畠山 哲夫¹、岡本 光央¹、原田 信介¹、矢野 裕司³、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.新日本無線、3.筑波大学)

キーワード：4H-SiC MOS、しきい値変動予測、長時間ゲートストレス

4H-SiC MOSデバイスの課題として、ゲートバイアスストレスによるVthの不安定性があげられる。一般的には、Id­Vg測定には一定の時間が必要なため、このストレスにより捕獲された電荷の放出が起こり、Vth変動の過小評価になる。我々はこれまでにこの電荷放出によるストレス緩和を抑え評価法を提案し、評価法に大きく依存することを報告した。今回これら手法の長時間ストレス下におけるVth変動量を調査した。