[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-6] 窒化SiO₂/SiC界面の伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果

〇畠山 哲夫¹、木内 祐治¹、染谷 満¹、岡本 大²、原田 信介¹、矢野 矢野²、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.筑波大)

キーワード：界面準位、窒化、MOSFET

面方位の異なる窒化SiO₂/SiC界面のバンド端近傍の界面準位を評価し、面方位の窒化SiO₂/SiC界面に及ぼす効果を調べ以下の結果を得た。界面準位密度はSi面、C面共にNO処理時間を増やすにつれ低減され、処理時間が60分以上で飽和する傾向がある。Si面、C面の両方でNO処理時間を増やしてもホール移動度は改善されない。窒化後、C面試料ではSi面試料と比べると界面準位密度はおおよそ半分以下である。一方、C面ではホール移動度はSi面より小さい。