[5a-A203-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[5a-A203-8] Analysis of interface characteristics on p-type SiC MOS capacitors by conductance method

〇(M2)Yuki Karamoto¹, Xufang Zhang¹, Dai Okamoto¹, Mitsuru Sometani², Tetsuo Hatakeyama², Shinsuke Harada², Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Tsukuba Univ., 2.AIST)

Keywords:SiC, conductance method

ドライ酸化を行ったp型4H-SiC MOSキャパシタの特性をコンダクタンス法で解析した。得られた曲線は1つのガウス曲線ではフィッティングできないため、高周波と低周波の2つの成分を考えた。高周波応答を解析すると、ドナー型界面準位に由来すると考えられる結果が得られた。ドライ酸化SiO₂/SiC界面の価電子帯端付近には、応答の速い界面準位と応答の遅い酸化膜内準位の2種類が存在していると考えられる。