The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[5a-C11-1~11] 13.3 Insulator technology

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

Tue. Sep 5, 2017 9:00 AM - 12:00 PM C11 (Office 1)

Masato Koyama(TOSHIBA), Akio Ohta(Nagoya Univ.)

11:00 AM - 11:15 AM

[5a-C11-8] Thermal Dry Etching Method for Lanthanum Oxide by using Surface Modification with Organometallic Complex

Yoshihide Yamaguchi1, Kazunori Shinoda1, Yutaka Kouzuma2, Satoshi Sakai2, Masaru Izawa2 (1.Hitachi. Ltd. R&D group, 2.Hitachi High-Technologies Corporation)

Keywords:Lanthanum Oxide, Dry Etching, Organometallic Complex

High-k材として期待される酸化ランタンのドライエッチングを検討し、有機性材料ガスを用いて有機金属錯体化した後に熱処理するプロセスを開発した。開発プロセスでは400℃以下の加熱によって有機金属錯体層が除去される。講演では一連の処理における重量変化および有機金属錯体の同定について言及する。