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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月5日(火) 13:15 〜 18:00 A202 (202)

島久(産総研)、西佑介(京大)

16:00 〜 16:15

△ [5p-A202-11] 4端子TiO₂単結晶構造メモリスタの抵抗変化特性

〇(M2)清水拓磨¹、竹内正太郎¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：メモリスタ、二酸化チタン、抵抗変化特性