[5p-A204-1~9] シリコン結晶における不純物制御の科学 ～ゲッタリングが描くウェーハの未来像～

[5p-A204-2] イントリンシックゲッタリング能力を付与した各種IG-Siウェーハ製品の開発経緯

〇宝来 正隆¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：CZ-Si結晶、イントリンシクゲッタリング、窒素ドープ

約35年間に亘って、CZ-Si結晶中の欠陥挙動と制御に関する研究や窒素／炭素をドープした結晶の特性を活かした各種ウェーハ製品の開発に携わってきた。これまでの研究開発において経験したいくつかのTopicsをまじえて、DZ-IGやDZ-IG/EPの問題点とその改善から得られた水素雰囲気中アニールの欠陥除去効果や、窒素／炭素ドープによるIG強化EPなどの各種IG-Siウェーハ製品の開発の経緯を紹介する。