[5p-A204-1~9] Science of impurity control in silicon wafers

[5p-A204-3] Morphology observation of oxygen precipitates in ultra-high temperature RTP wafers by TEM

〇Haruo Sudo¹, Tatsuhiko Aoki¹, Susumu Maeda¹, Hideyuki Okamura¹, Kozo Nakamura³, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan, 2.Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural Univ., 3.Regional Cooperative Research Organization, Okayama Prefectural Univ.)

Keywords:Rapid Thermal Process, Oxygen precipitates, Point defects

1350℃RTPウェーハにおける酸素析出物の密度と形状をTEMで観察した結果、バルク部で1×10¹¹ /cm³を超える高密度であった。また、酸素析出物の成長温度が1000℃でありながら八面体が形成されていた。その理由は、1350℃RTPによって高密度の空孔が凍結され、それが析出物周囲の歪み緩和に寄与したためと考えられた。