[5p-A204-1~9] Science of impurity control in silicon wafers

[5p-A204-4] Investigation of oxygen precipitation behavior in Cz-silicon wafers by the rapid thermal process

〇Hideyuki Okamura¹, Haruo Sudo¹, Kozo Nakamura³, Susumu Maeda¹, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural Univ., 3.Regional Cooperative Research Organization, Okayama Prefectural Univ.)

Keywords:Rapid Thermal Process, Oxygen precipitate, Point defect

Rapid Thermal Process (RTP) を施したSiウェーハの、RTP後の熱処理による酸素析出物の発生モデルを検討した。このモデルは実験結果を定性的に再現し、RTPウェーハにおける酸素析出物の核発生は凍結された空孔により促進され、発生した析出物の成長に伴う格子間シリコン濃度の増加により、空孔が消失すると核発生が停止することが示唆された。