The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[5p-A301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

Tue. Sep 5, 2017 1:15 PM - 6:45 PM A301 (Main Hall)

Kazunobu Kojima(Tohoku Univ.), Yoshio Honda(Nagoya Univ.), Yoshiki Saito(TOYODA GOSEI)

6:30 PM - 6:45 PM

[5p-A301-19] High WPE (9.6%) AlGaN deep-UV LED using transparent contact layer and lens

Hideki Hirayama1, Yukio Kashima1,2, Eriko Matsuura1,2, Hideki Takagi3, Noritoshi Maeda1, Masafumi Jo1, Takeshi Iwai4, Toshiro Morita4, Mitsunori Kokubo5, Takaharu Tashiro5, Ryuichiro Kamimura6, Yamato Osada6 (1.RIKEN, 2.Marubun, 3.AIST, 4.Tokyo Ohka Kogyo, 5.Toshiba Machine, 6.ULVAC)

Keywords:deep-UV LED, AlGaN, WPE

AlGaN深紫外LEDは、殺菌、浄水、空気浄化、皮膚治療、樹脂加工、印刷、コーテイングなど幅広い応用分野への普及が期待されている。今回我々は、AlGaN深紫外LEDに透明コンタクト層と高反射電極を導入し、さらにフリップチップ(FC)にレンズを張り付けることにより、高い電力変換効率(WPE=9.6%)を実現したので報告する。