[5p-A301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[5p-A301-7] Shape control of selective area growth of GaN for applying to three-dimensional channel transistors

〇(M2)Hiroki Kuroiwa¹, Takuya Hamada¹, Tokio Takahashi², Toshihide Ide², Mitsuaki Shimizu², Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Hiroshi Iwai¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech, 2.AIST)

Keywords:selective area growth, Fin-FET, sidewall facet control

GaN系半導体の選択成長は、Fin-FETのような立体チャネルトランジスタへの応用においても有望と考えられる。本研究ではトランジスタ応用に向けた選択成長パターンの平面方向依存性と成長条件による断面形状制御について検証した。GaN基板の(11-20)面に対し平行に配置したライン/スペース形状のSiNマスクを用いてGaNを選択再成長させ、MOCVD時のNH₃流量の調整を行うことでトランジスタ応用に適した側面が垂直に立つような形状制御が可能であることがわかった。