[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[5p-C11-7] RTNトラップの高電界下でのDefect Profiling ～ マルチフォノンモデルに基づく理論外挿 ～

〇宝玉 充¹、泉田 貴士¹、尾上 誠司¹ (1.東芝メモリ（株）)

キーワード：ランダム・テレグラフ・ノイズ、ディフェクト・プロファイリング、無輻射マルチフォノン遷移理論

マルチフォノンモデルに基づいて、高電界下でのRTNトラップの振る舞いを理論外挿した。その結果、閾値電圧周辺ではチャネルの反転キャリアを捕獲していたにもかかわらず、高電界下でゲート側にキャリアを放出してしまうケースがあることが分かった。このことは、トラップが多いMOSFETにおいて、強反転状態のキャリア密度や、高電界下でのゲート絶縁膜のリーク電流などを計算する際に、大きく影響すると考えられる。