[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5p-C17-1] Al₂O₃/GaN 構造の界面制御プロセス

〇金木 奨太¹、西口 賢弥¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：GaN、MOS、界面準位