[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-10] ALD-Al₂O₃/GaN 構造における伝導帯端近傍の界面特性と熱処理温度の関係

〇田岡 紀之¹、小林 貴之²、中村 昌幸²、佐川 達郎²、グェンスァン チュン^1,3、大田 晃生³、山田 永¹、高橋 言緒¹、池田 弥央³、牧原 克典³、久保 俊晴⁴、山田 寿一¹、江川 孝志⁴、宮﨑 誠一³、本山 愼一²、清水 三聡¹ (1.産総研 GaN-OIL、2.サムコ（株）、3.名大院工、4.名工大)

キーワード：GaN、界面準位