[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[5p-C17-11] AlON gate dielectrics deposited by ALD for AlGaN/GaN MOS-HEMTs

〇Mikito Nozaki¹, Kenta Watanabe¹, Takahiro Yamada¹, Hongan Shih², Satoshi Nakazawa², Yoshiharu Anda², Tetsuzo Ueda², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Panasonic)

Keywords:GaN, AlGaN, AlON

Al₂O₃/AlGaN/GaN MOSHFETはAl₂O₃膜の比較的高い誘電率と広いバンドギャップから有望視されているが、界面特性向上技術の開発や電子注入耐性の低さによる閾値電圧変動等の課題を抱えている。
これまで我々は反応性スパッタリング法で成膜した窒素添加アルミナ（AlON）を用いることでAl₂O₃膜より優れた電子注入耐性や界面特性を実現してきた。本研究では更なる膜質と段差被覆性の向上を狙い、ALD法によるAlON成膜を検討したので報告する。