[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5p-C17-17] 5 kV耐圧を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード

太田 博¹、林 賢太郎¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、中村 徹¹、〇三島 友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：半導体、GaN、ダイオード

自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおいて新たなガードリング構造を用いて5.0 kVの高耐圧化を達成した。