[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5p-C17-7] n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定

〇前田 昌嵩¹、三島 友義²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.法政大)

キーワード：ショットキー接触、界面顕微光応答法、n-GaN

我々は、電圧を印加しながら界面顕微光応答(SIPM)測定を行い、n-GaNショットキー電極の劣化過程を評価した。ノイズフロア(0.1pA)以下の逆方向電流を示した電極は、バイアス電圧なし(V=0V)のSIPM測定では均一なY（電子収率）像が得られ、V<-9VではYが5~25%増加する領域がみられた。一方、pAオーダーの逆方向電流が検出された電極は、V=-36VのSIPM測定中、顕著にYが増加する領域が発生した。SIPM法は電圧印加劣化の初期過程の評価に適していると考えられる。