[5p-PB1-1~13] 3.13 半導体光デバイス

[5p-PB1-11] MQW-SOAを用いた全光論理ゲートデバイス用非線形特性の検討

〇(M1)赤石 陽太¹、松井 信衞¹、伊澤 昌平¹、松本 敦²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

キーワード：半導体、全光信号処理、非線形光学効果

我々が提案している全光論理ゲートデバイスは非線形光学効果であるXGMとFWMを利用した素子である。今回はMQWを用いたSOAのXGMとFWMの測定を行った。XGMの強度と波長間隔特性、FWMの入出力特性を測定し、CWでのXNOR論理動作の確認を行った。