[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-3] 電極形成後の熱処理によるW/SiO₂/nSiC MOSキャパシタの電気特性

〇雷 一鳴¹、金子 喬¹、若林 整¹、筒井 一生²、岩井 洋²、角嶋 邦之¹、古橋 壮之³、友久 伸吾³、山川 聡³ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院、3.三菱電機株式会社)

キーワード：SiC、TDMAS、PMA