[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [6a-A201-5] 極限環境エレクトロニクスのための4H-SiC nMOSFETs セルフアラインプロセス

〇(M2)黒瀬 達也¹、黒木 伸一郎¹、石川 誠治^2,1、前田 知徳^2,1、瀬崎 洋^2,1、牧野 高紘³、大島 武³、Mikael Ostling⁴、Carl-Mikael Zetterling⁴ (1.広大ナノデバイス、2.フェニテック、3.QST、4.スウェーデン王立工大)

キーワード：SiC、セルフアラインプロセス、MOSFET