[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6a-A203-10] 後プラズマ及び熱処理による高性能Top-Gate ZnO TFT の作製

〇加藤 公彦¹、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：ZnO、TFT、プラズマ酸化

極薄ZnOチャネル層（~10 nm）を有するトップゲート薄膜トランジスタ（TFT）の性能向上に向け、プラズマ及び熱処理がTiN/Al₂O₃/ZnOゲートスタック特性に与える影響を調査した。TFTの優れたON/OFF動作には、Al₂O₃/ZnO界面構造の精密な制御が極めて重要である。プラズマ酸化、O₂熱処理、および電極形成後熱処理（PMA）適切な組み合わせと最適化により、~120 mV/dec.の小さなサブスレショルドスロープと、50 cm²/V·sを上回る高い電界効果移動度を達成した。