[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6a-A203-2] 後焼成によるアモルファスIGZO薄膜の欠陥変化及びそのメカニズム

〇賈 軍軍¹、岡島 敏浩²、重里 有三¹ (1.青山学院大学理工学部、2.九州シンクロトロン光研究センター)

キーワード：アモルファスIGZO薄膜トランジスタ、広域X線吸収微細構造解析、局所構造

高移動度を持つアモルファスIGZO（a-IGZO）薄膜はスパッタ法により低温で大面積均一成膜ができ、大面積平面型ディスプレイ中にTFTのチャネル材料として実用化されている[1,2]。しかし、電気的・環境的ストレスに対する不安定性が指摘されている[2]。これはa-IGZO薄膜中に多くの欠陥準位が形成され、光照射や雰囲気焼成などによる電子の捕獲または放出が生じるためであると考えられる。これらの不安定性を解決するため、本研究では、後焼成によるIGZO透明酸化物半導体材料の局所構造と欠陥構造の変化を詳細に調べ、さらに欠陥準位への影響について解析した。