[6a-A203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [6a-A203-7] Influence of High-k/ In_1-xSi_xO_1-yC_y channel interface on transistor characteristics

〇(D)Kazunori Kurishima^1,2, Toshihide Nabatame², Takashi Onaya^1,2, Takio Kizu², Kazuhito Tsukagoshi², Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS)

Keywords:In1-xSixO1-yCy, High-k materials, oxide TFT

本研究では、原子層堆積(ALD)法で作製した3種類のHigh-k (HK)膜をゲート絶縁膜に用いたIn_1-xSi_xOC-TFTを作製して、HK/ISOCチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響について議論した結果を報告する。