The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[6a-A203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Wed. Sep 6, 2017 9:00 AM - 11:45 AM A203 (203)

Mamoru Furuta(Kochi Univ. of Tech.)

11:15 AM - 11:30 AM

[6a-A203-9] A Consideration on Bending Degradation of Zinc Oxide Thin-Film-Transistors Grown at Room Temperature on Cyclo Olefin Polymer

Koki Nagayama1, Oliver Kaltstein1, Sohei Matsuda1, Kazuyori Oura1, Masatoshi Koyama1, Toshihiko Maemoto1, Shigehiko Sasa1 (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC)

Keywords:Zinc Oxide, Flexible, Thin-film-transistors

近年、透明フレキシブルディスプレイなどの研究に注目が集まっている。我々は前回の応用物理学会においてフレキシブル基板上の酸化亜鉛薄膜の曲げによる抵抗変化と酸化亜鉛の表面観察について報告した。電極はAlを添加した酸化亜鉛(AZO)とチタンと金(Ti/Au)の2種類を用意し比較を行った。今回、前回の報告内容をさらに発展させ、フレキシブル基板上に作製したZnO-TFTの曲げ状態での特性評価を行ったのでその結果について報告する。