[6a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[6a-A301-7] [JSAP Young Scientist Award Speech] Propagation Properties of Threading Dislocations in HVPE-grown GaN Observed by Two-Photon-Excitation Photoluminescence

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Kazuki Ohnishi¹, Masaya Kanoh², Takashi Mukai², Takashi Matsuoka¹ (1.IMR, Tohoku Univ., 2.Nichia Corp.)

Keywords:GaN, Threading Dislocation, Multiphoton-Excitation Photoluminescence

ハイドライド気相成長法（HVPE法）を用いて成長したGaN結晶に対し、二光子励起フォトルミネッセンスにより発光分布の評価を行った。空気／GaNの屈折率差に起因した球面収差により、観察位置が深いほど空間分解能が低下したものの、300 µm膜厚程度のGaN厚膜に対し、貫通転位のイメージングを行うことができた。成長膜厚の増加に伴い暗点密度が減少する性質を示し、この傾向は転位の対消滅モデルとよく一致した。