[6a-A503-1~13] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[6a-A503-1] Recovery of residual defect using Flash Lamp Annealing (FLA) tool with milliseconds order

〇akitsugu Ueda¹, Kazuhiko Fuse¹, Makoto Abe¹, Takayuki Aoyama¹, Shinichi Kato¹, Ippei Kobayashi¹ (1.SCREEN)

Keywords:semiconductor, Flash Lamp Annealing

半導体デバイスの熱処理工程では不純物の拡散制御だけでなく，残留欠陥の回復も求められる．熱履歴の長い熱処理は欠陥回復に効果はあるが，深さ方向への過剰な拡散の課題も生じる．この課題を解決するために，ミリ秒オーダで熱処理が可能なFLAを用いて熱処理後の欠陥状態を評価した．その結果，FLA処理によって浅い接合を維持したまま残留欠陥を回復することができ，低抵抗化が可能である．