[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6a-A503-4] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性 (3)
-ダブルエピタキシャルウェーハのゲッタリング挙動解析-

〇奥田 秀彦¹、柾田 亜由美¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、奥山 亮輔¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：低酸素基板、炭素クラスターイオン注入、ゲッタリング挙動

我々は,2016年秋季応用物理学会において、エピタキシャル層のような低酸素基板への炭素クラスターイオン注入がFeのゲッタリング能力を高めるということを報告した。しかしながら、Feを除いた遷移金属のゲッタリング挙動は明らかになっていなかった。
そこで今回は、Si基板が低酸素濃度、さらにエピタキシャル層にクラスター注入を行い、各種遷移金属のゲッタリング挙動の解析を行ったので報告する。