[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-4] RBSによるMgイオン注入GaN結晶のダメージ評価

〇新宮 一恵¹、高橋 和照¹、Tseng Daniel²、中村 徹³、池田 清治³、西村 智朗³、三島 友義³ (1.ナノサイエンス、2.EAG、3.法政大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、ラザフォード後方散乱分析

異なる条件でMgイオン注入されたGaN結晶試料のアニール前後をラザフォード後方散乱法で測定し結晶性の変化を調べた。アニール前試料では結晶ダメージが観測され、アニールにより結晶の回復が見られた。結晶ダメージをGa原子の変位として定量的に評価した。