[6a-C21-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

△ [6a-C21-2] SiC Nanodots Formation by Hot C⁺ Ion Implantation into Bulk-Si Substrate

〇Shinji Nakada¹, Masaki Yamamoto¹, Sho Irie¹, Yusuke Omata¹, Takashi Aoki¹, Toshiyuki Sameshima², Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ Agri. Tech.)

Keywords:photonics, quantum confinement effects, ion implantation

(100)バルク Si 基板へのホット C＋イオン注入によるSiCドットの形成に 成功した．更に SiC ドットからの PL 発 光のポスト N2 アニール処理依存性につ いて報告する.