[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [6a-C21-2] バルク Si 基板へのホット C^＋イオン注入法による SiC ナノドットの形成

〇中田 真史¹、山本 将暉¹、入江 翔¹、小又 祐介¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：発光デバイス、量子的閉じ込め効果、イオン注入

(100)バルク Si 基板へのホット C＋イオン注入によるSiCドットの形成に 成功した．更に SiC ドットからの PL 発 光のポスト N2 アニール処理依存性につ いて報告する.