[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6a-C21-5] ALDによる中空構造の作製

〇佐川 達郎¹、中村 昌幸¹、小林 貴之¹、立田 利明¹、本山 慎一¹ (1.サムコ㈱)

キーワード：原子層堆積法、MEMS、アルミナ

現在MEMS等ではデバイス内にAir-gapを持つ構造(中空構造)が使用されている。中空構造の作製には多結晶シリコン等の犠牲層を成膜し、最後にエッチングにより多結晶シリコンを除去する手法がよく使用される。しかし多結晶シリコンを他の膜で完全に覆う場合エッチングの工数が増え、またエッチング時にデバイスへのダメージが懸念される。今回我々はALDを用いた中空構造の作製工程の簡略化に成功したのでその手法について報告する。