[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-3] RE-ALD形成Al₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシタの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響 -２

〇(M1)長浜 優¹、山田 大地²、王谷 洋平²、福田 幸夫²、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.諏訪東京理科大)

キーワード：Ge-MIS、ALD、電気的特性

我々はRE-ALD法によるAl₂O₃/GeO₂/p-Ge MOSキャパシタのPMA処理の効果を検討している。本報告ではAl電極の蒸着方法がC-V特性に及ぼす効果を調べた。その結果、抵抗加熱蒸着と電子ビーム（EB）蒸着による差異は認められなかった。このことからEB蒸着による欠陥導入は認められないこと、並びに蒸着Al原子によるAl₂O₃膜の還元が蒸着方法によらず発現していると考えられることがわかった。