[6a-PA9-1~11] 13.3 Insulator technology

[6a-PA9-6] Step coverage of hafnium oxide thin films by supercritical fluid deposition

〇Hiroaki Kawashima¹, Hiroshi Uchida¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Hafnium oxide, Supercritical fluid deposition, Dielectrics

従来の薄膜堆積手法であるCVDやCSDにおいては、薄膜材料の低温合成と段差被覆を同時に達成することが困難であり、この要求を達成するための手法として超臨界流体を用いた薄膜作製プロセス (SuperCritical Fluid Deposition: SCFD) が近年提案された。本発表では、薄膜トランジスタ (TFT) 用high-k材料として用いられるHfO₂薄膜の堆積をSCFDにより実施し、三次元回路の形成を念頭に置いたトレンチ構造上へのHfO₂薄膜の段差被覆に関する調査結果を報告する。