[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-6] 超臨界流体堆積法による酸化ハフニウム薄膜の段差被覆成膜

〇川島 広明¹、内田 寛¹ (1.上智大)

キーワード：酸化ハフニウム、超臨界流体堆積、誘電体

従来の薄膜堆積手法であるCVDやCSDにおいては、薄膜材料の低温合成と段差被覆を同時に達成することが困難であり、この要求を達成するための手法として超臨界流体を用いた薄膜作製プロセス (SuperCritical Fluid Deposition: SCFD) が近年提案された。本発表では、薄膜トランジスタ (TFT) 用high-k材料として用いられるHfO₂薄膜の堆積をSCFDにより実施し、三次元回路の形成を念頭に置いたトレンチ構造上へのHfO₂薄膜の段差被覆に関する調査結果を報告する。