[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

△ [6a-PA9-7] 電気ストレスによるAl₂O₃/InGaAs MOS界面における界面準位発生

〇尹 尚希¹、張 志宇¹、安 大煥¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学大学院)

キーワード：InGaAs、信頼性、界面順位