[6p-A201-1~20] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6p-A201-12] TSSG法によるSiC溶液成長における種子づけと溶液中の炭素濃度の関係

〇太子 敏則^1,2、高橋 大²、土本 直道²、鈴木 皓己²、玄 光龍² (1.信大環境エネ研、2.信大工)

キーワード：ワイドギャップ半導体、SiC溶液成長

TSSG 法によるSiC溶液成長における、溶液保持の時間経過により増加する溶液内の炭素濃度と、その溶液への種子づけ後に成長する結晶品質について比較、検討した。種子づけまでの時間を変えて結晶育成を行い、一方でるつぼ内壁の温度に対する炭素溶解度および溶解速度から溶液内の炭素濃度が飽和に達する時間を見積もり、結晶品質との関係を調べた。