[6p-A201-1~20] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [6p-A201-9] In situ observation of SiC/solution growth interface using a Si-Cr-Al ternary alloy solvent

〇(M1)Kota Nakano¹, Shingo Maruyama¹, Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:SiC, crystal growth, in situ observation

SiおよびSi-Cr系溶媒にAlを添加した合金を溶媒として，共焦点レーザー顕微鏡を用いたSiC/溶液成長界面のその場観察を行った．Siを溶媒として用いた場合と比較し，Si-Al系溶媒を用いた場合にはより低温にてステップフロー成長が観察された．Si-Cr系溶媒およびこれにAlを添加した溶媒を用いた場合，SiおよびSi-Al系溶媒使用時と比較し高低差の大きいマクロステップが形成される様子が観察された．